삼성전자가 중국 시안시 메모리 반도체 공장의 본격 가동에 들어갔다.

 삼성전자는 9일 산시성 시안시에서 산시성 성위서기 자오쩡융, 권영세 주중 한국대사, 권오현 삼성전자 부회장 등이 참석한 가운데 신규로 건설한 메모리 반도체 공장의 준공식을 가졌다.

 이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완공됐다.

 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설되었으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산한다.

 삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 '글로벌 반도체 생산 3거점 체제'를 구축했다고 밝혔다.
 '글로벌 반도체 생산 3거점 체제'란 시스템 반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국의 최적의 포트폴리오이다.

 시안 공장의 완공으로, 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축해 생산규모도 확대하고 고객에게 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 되었다.

 특히 글로벌 IT 기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국 내에서 낸드플래시 제품을 직접 생산, 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐다.

  권 부회장은  “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했다.

 삼성전자는 2014년 말 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성할 계획이다.